SYSCOM IRF-640 — Comprar en Altaris Shop México
Transistor MOSFET de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y control de potencia en equipos electrónicos industriales. Soporta tensiones de operación de hasta 200 V con capacidad de corriente continua de 18 A, permitiendo su uso en fuentes de alimentación conmutadas, inversores y controladores de motores. La disipación máxima de potencia de 125 W garantiza estabilidad térmica en condiciones de carga elevada. El encapsulado TO-220AB facilita la instalación mecánica y la conexión a disipadores de calor convencionales, optimizando la gestión térmica en diseños compactos. Características Generales • Tipo: MOSFET Canal N • Voltaje drenaje-fuente (V DSS ): 200 V • Corriente continua de drenaje (I D ): 18 A • Disipación de potencia máxima (P D ): 125 W • Encapsulado: TO-220AB • Aplicación: Conmutación de alta velocidad Desempeño Eléctrico Voltaje drenaje-fuente: 200 V Corriente de drenaje: 18 A Disipación de potencia: 125 W Físicas y Térmicas Encapsulado: TO-220AB Montaje: Through-hole con orificio Compatible con disipadores estándar Contenido del Paquete 1 × Transistor MOSFET IRF640
- Conmutación de alta velocidad para circuitos de potencia eficientes
- Disipación térmica de 125 W para aplicaciones de alta carga
- Encapsulado TO-220AB compatible con disipadores estándar
- Operación confiable en rangos de 200 V para equipos industriales
- Baja resistencia de canal para reducción de pérdidas energéticas
- Control de carga de 18 A en fuentes de alimentación conmutadas
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